为什么要超频？

内存超频是指将内存条的工作频率提高到出厂标称值以上，以提升数据传输速度和整体系统性能。超频效果受CPU内存控制器（IMC）、主板设计、内存条体质等硬件因素影响，同时也依赖BIOS/UEFI中的软件设置

内存频率直接决定了 CPU 与内存之间的理论数据传输速度。频率越高，数据“高速公路”的限速越高，CPU 能更快地获取指令和待处理数据。计算公式：

在双通道、64 位宽的常见平台上，频率提升会带来显著的带宽增长，对需要连续读写大量数据的场景尤其有利。

降低延迟，提高系统响应，超频通常还会优化时序（CL、tRCD 等），即便频率不变，更紧的时序也能减少数据访问的“等待时间”。最终带来更快的系统响应、程序启动和文件操作。

游戏性能的明显改善，游戏引擎需要频繁的随机小数据块读写，对内存延迟和带宽都很敏感，这可能是对应大多数人最直观能感受到的。

缓解CPU瓶颈：当显卡性能有富余而CPU成为木桶短板时，内存超频能让CPU更充分释放性能，提升帧数下限。

提升平均帧与最低帧：超频后的低延迟高带宽能有效减少游戏中的掉帧和卡顿，特别是《CS:GO》、《绝地求生》、《赛博朋克 2077》等对内存敏感的网游和单机大作，帧数的提升十分可观！

大幅增强集成显卡性能，如果你使用 CPU 核显（如 AMD APU、Intel UHD/Iris Xe），内存就是核显的显存。内存频率几乎直接等价于显存频率，超频内存可让核显性能获得巨大提升——游戏帧数甚至可以提升 20% ~ 40%，是性价比最高的“不花钱升级显卡”方案。

还有一点优点，即使这些提升对你的工作学习没有什么影响，了解内存超频也有助于你理解内存的工作原理，对于学习计算机组成原理或许会有帮助！

⚠️ 需要注意的风险与局限

• 稳定性考验：不稳定的超频会导致蓝屏、闪退、文件损坏。必须借助 MemTest、TestMem5 等工具进行充足测试。
• 散热与寿命：频率和电压加高会带来更多发热，长期在高温、高电压下可能轻微影响硬件寿命（但合理范围内通常无碍）。
• 平台限制：并非所有 CPU/主板都支持高频内存。Intel 平台通常需要 Z 系列主板，AMD 平台则更开放，但也有最佳甜点频率（如 AM4 平台的 3600~3800MHz，AM5 的 6000MHz 左右）。
• 边际效应：对于纯 CPU 多媒体转码或已经受显卡瓶颈的游戏而言，内存超频收益有限。

了解内存参数

使用Hwinfo64之类的软件，可以查看自己的内存参数

参数详解：

一、频率：速度的基石

• 表示：MT/s（兆次传输每秒），如 DDR4-3600。因为 DDR 是双倍数据率，I/O 总线频率是内部时钟的 2 倍。
• 带宽计算：
  带宽（GB/s）= 频率 × 通道位宽（64 bit）× 通道数 / 8
  频率提升直接扩大带宽，对连续读写密集任务（视频剪辑、渲染）增益显著。
• 实际时钟：频率/2，是 tCK（时钟周期）的基准。BIOS 中的时序数字都是乘以 tCK 后才得到真实时间。

二、核心时序（第一时序）

1. tCL（CAS Latency，列选通延迟）

• 含义：从发出读指令到数据开始输出的周期数。
• 重要性：直接影响内存延迟，是游戏响应、随机读写最敏感的时序。
• 典型值：DDR4 常见 14–19，DDR5 由于架构变化达到 28–40 但仍保持相近的绝对延迟（约 8–10 ns）。
• 关系：tCL × tCK = 绝对延迟（ns）。例：3600 CL16 ≈ 8.89 ns，3200 CL14 ≈ 8.75 ns，实际接近。

2. tRCD（RAS-to-CAS Delay，行寻址到列寻址延迟）

• 分项：tRCDRD（读）和 tRCDWR（写）。部分硬件可分开设置，写入常可放宽。
• 含义：激活行后，需要多久才能发出读/写列指令。
• 影响：随机访问速度，越低越好，但受电压、颗粒体质限制。
• 典型值：DDR4 16–22；DDR5 30–50。

3. tRP（Row Precharge Time，行预充电时间）

• 含义：关闭当前行并准备打开下一行的时间。
• 作用：与 tRCD 共同制约行循环速度。
• 典型值：DDR4 16–22；DDR5 30–50。

4. tRAS（Row Active Time，行活跃时间）

• 含义：一行从激活到被预充电的最小时间间隔（即活跃窗口）。
• 常见约束：tRAS ≥ tCL + tRCD + 一些余量（通常为 2–4 CK）。数值太小会导致数据丢失。
• 典型值：DDR4 28–42，DDR5 50–100+。

三、关键复合时序

5. tRC（Row Cycle Time，行周期时间）

• 含义：一行从开始激活→读写→预充电完成的完整周期。
• 计算：标准情况下 tRC = tRAS + tRP。但部分 BIOS 允许设置为更紧的数值，需严格验证。
• 影响：频繁跨行访问时的吞吐。

6. tRFC（Refresh Cycle Time，刷新周期时间）

• 含义：内存定期全面刷新单个 bank 时，该 bank 不可用的时间。是影响高负载稳定性和温度的核心参数。
• 细分：DDR4 统一一个 tRFC；DDR5 引入 tRFC1、tRFC2、tRFC sb（或 tRFC2/4）对应不同刷新模式。通常只调 tRFC1（普通刷新）。
• 单位：ns（纳秒），但在 BIOS 中以周期数存储，因此随频率升高该数值等比增大。
  例如：DDR4 3200 下 tRFC 350 ns ≈ 560 周期；超频到 4000 时需相应放宽到约 700 周期（350×2000 MHz/1000）。
• 超频策略：缩紧 tRFC 能显著提升效能，但过热会致数据出错。需结合 tREFI 调整。

7. tREFI（Refresh Interval，刷新间隔）

• 含义：两次自动刷新的平均间隔时间。典型规范约 7.8 µs（微秒）。
• 单位：同样以周期数存储在 BIOS，值越大刷新频率越低，空闲性能越好，但易受温度影响。
• 实际值：DDR4 3200 下 7.8 µs ≈ 12480 周期；许多主板允许手动拉高至 65535（意味着约 40.96 µs 间隔，视频率而定）。这是冲击极限的玩法，需要强力散热并可能缩短寿命，日常建议不超过 2-3 倍默认值。
• 与 tRFC 配合：tRFC 决定了每次刷新的耗时，tREFI 决定触发频率，二者的平衡决定“刷新开销”。

四、命令与辅助时序

8. CR（Command Rate，命令速率）

• 1T/2T/3T：内存控制器发送命令的速率。1T 每周期发送一次命令，延迟最低；2T 趋于稳定，高频时多数颗粒只能 2T。
• 影响：对随机读写延迟有微小但全局的影响。

9. tWR（Write Recovery Time，写恢复时间）

• 含义：写操作完成后到预充电之前需要的等待时间。
• 典型值：DDR4 12–20；DDR5 30–48。

10. tWTR_S / tWTR_L（Write to Read Delay，写转读延迟）

• 分项：S 指同 Bank Group，L 指不同 Bank Group。
• 含义：完成写后，要等多久才能对同一 bank 组发出读命令。对顺序写后随即读的场景重要。

11. tRTP（Read to Precharge Delay，读后预充电延迟）

• 含义：读操作完成后，到能执行预充电的时间。

12. tFAW（Four Activation Window，四次激活窗口）

• 含义：在指定窗口内最多允许激活 4 个 bank。用于限制 bank 交错激活的峰值功耗。
• 典型值：DDR4 20–40，DDR5 更高。适当缩紧可提升带宽。

13. 其他重要参数（DDR5 新增）

• tRDRD_sg / _dg… 等“同/异 Bank Group”时序，精细控制读写冲突。
• tRC（不同页尺寸），DDR5 有 1KB/2KB 页模式，需区别设置。

五、电压

• VDD/VDDQ：核心/IO 电压，DDR4 常见 1.2–1.5 V（日常安全极限 ≤1.45 V，需看颗粒），DDR5 约 1.1–1.35 V。
• VPP（DDR5）：辅助电压（1.8 V），独立供电。
• SA/VCCIO（系统代理/IO 电压，CPU 端）：影响内存控制器稳定性，超高频时需要微提。

六、综合调整策略

1. 确定目标频率：根据 CPU 内存控制器体质、主板布线，找到最高稳定频率。
2. 确定第一时序：tCL 先尝试放宽，逐级缩紧；tRCD/tRP 紧随其后，可参考同颗粒配置。
3. tRC 保持 tRAS + tRP，必要时收一点。
4. tRFC：用颗粒固有延值（如 B-die 140 ns 级）换算周期数，再收紧并加风扇。
5. tREFI：默认 1×，中度安全提升到 2-3×，极致需主动散热。
6. 辅时序：tRRD/tFAW/tWR/tWTR 等套用成熟的小参模板，能榨取额外带宽。
7. 验证：至少跑 3 轮 TM5（anta777 配置）或 200% HCI Memtest，日用不死机才算稳。

开始超频！

进入主板BIOS，进入方法这里不再赘述，网上教程很多

常规笔记本BIOS可能找不到关于内存超频的调整界面，这是因为厂商锁死了这些BIOS设置防止你乱修改后导致电脑损坏，但这样也封死了极客玩家优化电脑性能的道路，你可以去网上搜索你对应电脑型号有没有别人制作的解锁BIOS，刷入后即可开始超频，或者可以使用RU工具&反编译工具来直接修改BIOS设置，注意！这是高危操作，请充分了解各参数作用后再进行操作！详解可观看笔吧测评室的相关视频。

https://www.bilibili.com/video/BV11X4y14795/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click&vd_source=2f623c4478b7ee5b12493659e9c419f9

进入BIOS

进入Advanced高级选项，找到Memory Configuration（内存配置）

在正式修改内存参数之前，有几个重要的，必须的选项需要修改，这不是可选项！

首先是SA GV，即SAGV（System Agent Geyserville），是一种通过动态调整内存控制器频率和电压来优化系统代理功耗和内存性能的技术。

说白了就是降低频率来降低功耗，如果开启此选项后进行内存超频，可能会导致电脑无法开机！

第二个选项是Power Down Mode，Power Down Mode（掉电模式）是DDR4/DDR5内存针对短期低负载场景设计的低功耗模式，其核心思想是“部分电路掉电”，即关闭非必要电路（如时钟缓冲器、DLL、I/O驱动），而核心存储阵列和基础控制电路仍保持供电，因此数据不会丢失，唤醒时间仅需数个时钟周期，远快于自刷新模式。这会导致内存无法冲击更低时序，设置为No Power Down后就不会有影响

接下来开始正式调整内存参数，进入Memory Overclocking Menu，将Memory profile调整为Custom Profile

然后就可以开始调整内存参数了！

超频作业

注意！我这里的参数仅适用于海力士A-die颗粒的DDR5内存条，CPU型号是i7-13650HX，直接抄作业，可能会导致不开机，不稳定等现象，本人概不负责，请充分了解自己所作出的操作后再操作。

详细参数：

• Ratio频率：64
• tCL：38
• tRCD/tRP：40
• tRAS：64
• tCWL：32
• tFAW：32
• tREFI：65535
• tRFC：706
• tRRD：0
• tRTP：18
• tWR：72
• tWTR：0
• tRFCpb：360
• tRFC2：420
• tRFC4：0
• tRRD_L：16
• tRRD_S：8
• tWTR_L：32
• tCCD_L：0
• tWTR_S：8
• NMode：2

注：0即默认，由机器自动选择，关于tRFC，AMD平台调整tRFC为有效，Intel平台请调整tRFC2为有效

完成后按F10保存并退出，重启电脑，初次调整了参数可能开机时间会较长，请耐心等待，长时间不开机说明你的参数无法稳定运行，请参考对应电脑型号方法重置BIOS，可能需要多次调整才能找到最适合你电脑的参数，确实很需要耐心。

稳定性测试

成功开机并进入系统后，请使用TM5工具进行内存稳定性测试，并使用AIDA64等工具实时监控内存温度

测试过程出现任何报错都说明你的内存运行并不稳定，请重新进入BIOS调整

同时观察内存温度，如果高于80度可能就会使电脑运行不稳定，对内存温度影响最大的参数是tREFI

调整tREFI可以大幅降低内存延迟，但过高的值可能会导致内存温度过高，可以购买散热鳍片贴在内存条上可以大幅改善，具体不再赘述

验收成果！

使用AIDA64的内存与缓存测试工具测试内存带宽和延迟表现

超频前后内存参数对比：

可以在第一排内存参数上看到，无论是带宽还是延迟都有明显的提升

带宽从约70GB/S提升到了90GB/S，提升幅度接近28%！

延迟从86.2ns降低至60.6ns，提升幅度约30%！

具体游戏帧数和性能测试我就不做了，网上有很多测试案例，如果你看过一些相关视频就知道，延迟从将近90ns降低到60ns是非常大的提升，这能带来更快的系统响应、程序启动和文件操作。

总结

通过以上操作，你已经可以顺利找到最适合你电脑的内存参数了，如开头所说，这不仅是为了提升电脑性能，也是为了更好的理解现代内存工作原理，这就是极客精神的意义体现，释放你电脑的潜能，让它飞驰起来吧！

附表（DDR5 典型参数速查表）

参数	含义	典型值（DDR5‑5600~6400）	对性能的影响
频率	数据传输率 (MT/s)	4800–8000（主流 6000）	带宽决定因子，直接影响连续读写速度
tCL	CAS 延迟（读命令到数据输出）	28–40（主流 32–36）	对延迟最敏感，越低游戏响应越快
tRCD	行寻址到列寻址延迟（读/写）	32–48（常见 36–38）	随机访问速度，紧收可提升帧率稳定性
tRP	行预充电时间	32–48（常见 36–38）	行切换速度，影响多任务切换效率
tRAS	行活跃窗口（最小）	70–105（常见 76–96）	确保行内操作完成，过低会丢数据
tRC	行周期时间	≈ tRAS + tRP（100–150）	整行操作效率，关联多 Bank 交错
tRFC1	普通刷新周期	500–900 cycles（约 180–320 ns）	重负载/高温稳定性核心，收紧降温
tRFC2	精细刷新周期（中等）	400–600 cycles	与 tRFC1 配合，影响刷新开销
tRFCsb	同 Bank 刷新周期（短）	300–500 cycles	DDR5 特有，进一步细分刷新动作
tREFI	刷新间隔	默认≈7.8 µs（6000 下≈23400 周期）	数值越高刷新频率越低，性能提升但需散热
CR	命令速率	2T（极少支持 1T）	全局命令延迟，DDR5 基本固定 2T
tWR	写恢复时间	48–96（常见 60）	写入后到预充电的等待，影响写后读
tWTR_S	写转读延迟（同 Bank Group）	4–8	频繁读写切换场景下的延迟
tWTR_L	写转读延迟（不同 Bank Group）	16–32	同上，跨组时可放宽
tRTP	读后预充电延迟	12–24	读完成到关闭行的间隔
tFAW	四激活窗口	24–48	限制 Bank 激活峰值功耗，紧收可提带宽
VDD / VDDQ	核心 / IO 电压	1.10–1.35 V（日常 ≤1.40 V）	影响发热与寿命，需匹配颗粒特性
VPP	辅助电压（DDR5 独立）	1.80 V（固定）	提供行激活驱动，一般无需调整